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产物信息

4H 半绝缘型

SiC单晶衬底

4H Semi-Insulating

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当前位置 >4H-半绝缘型衬底
2121特殊体育先进一直追求更高的晶体质量和加工质量
更好的知足客户的需求
现在可批量供应4英寸和6英寸产物
8英寸产物正在研发中

*越发详细的产物信息接待咨询营销团队

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基本信息

半绝缘型
  • 晶型 4H
  • 直径（mm） 100 & 150
  • 偏角（°） 0
  • 厚度（μm） 500
  • 外貌状态 Epi-ready

微波射频器件

通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成HEMT等微波射频器件，应用于信息通讯、无线电探测等领域。

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