半絶縁型SiCウェハーは、ワイドギャップ半導体质料であり、且つ高周波動作に対応することが出来る质料です。パワーデバイス領域と同様にその優れた物理特征が高周波デバイスにおいても有用であり、５G通讯技術等の発展に大きな役割が期待されています。
