N型 SiCウェーハは、SBD、MOSFETなど数多くのパワーデバイスに採用されております。その高熱伝導率、バンドギャップ、化学的安宁性、高強度、低損失、高破壊電界などの特征は、今後より多くのパワーデバイスに応用されるものと期待されています。
